半導(dǎo)體晶圓廠所用的設(shè)備及零組件都需要經(jīng)過電解拋光處理，以確保流道表面的質(zhì)量不會(huì)影響制程氣體的潔凈度及純度。在目前半導(dǎo)體晶圓廠，以八吋晶圓廠為例，光是使用于傳輸制程氣體系統(tǒng)的管件接頭就至少需要20萬顆。每一氣體輸送環(huán)節(jié)里都會(huì)影響到制程的可行性及良率，如何確保每一個(gè)經(jīng)過電解拋光處理的零組件都能達(dá)到半導(dǎo)體SEMI的要求及質(zhì)量，并確保質(zhì)量的穩(wěn)定及良率，是電解拋光技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)之一。+ E( H+ q! O* |  傳統(tǒng)的電解拋光處理方式由于會(huì)用到大量人力，對(duì)于未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高精度、高質(zhì)量穩(wěn)定性及大量的要求下，已不符合實(shí)際競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境。工研院機(jī)械所電解拋光技術(shù)開發(fā)一套半自動(dòng)化電解拋光系統(tǒng)，期能在電解拋光質(zhì)量上降低人為影響因子，并提高電解拋光的水平及質(zhì)量，更重要的是，可以穩(wěn)定性的量產(chǎn)高質(zhì)量的電解拋光零組件，以符未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，且希望以最簡(jiǎn)單的操作方式來達(dá)到輕易控制電解拋光成果質(zhì)量為目的，更可助于了解電解拋光制程中的參數(shù)變化對(duì)制程的影響，以得到較佳的電解拋光質(zhì)量及結(jié)果。
      工研院機(jī)械所于92年度科專研發(fā)內(nèi)容以半導(dǎo)體制程氣體傳輸系統(tǒng)中常用的管件接頭（Gland Fitting）為例，開發(fā)設(shè)計(jì)新式的電解拋光設(shè)備及系統(tǒng)，以改進(jìn)傳統(tǒng)電解拋光方法中常見的缺點(diǎn)，確保管件接頭的電解拋光質(zhì)量，提高電解拋光制程的效率。并針對(duì)電解拋光前后制程的潔凈處理系統(tǒng)，同時(shí)開發(fā)出一組半自動(dòng)傳輸清洗模塊，可以更有效率及精確的進(jìn)行電解拋光前后的超潔凈制程處理，同樣的可以增進(jìn)電解拋光的效率。9 g/ c) Y; Y, x/ |  半導(dǎo)體制程設(shè)備零組件fitting的電解拋光處理主要的重點(diǎn)即在于fitting的內(nèi)EP，傳統(tǒng)上電解拋光最簡(jiǎn)易且直覺的方式，在適當(dāng)?shù)碾娊庖簻囟?、組成及施加的電壓電流的范圍內(nèi)，昆山哪里有拋光廠表面即會(huì)開始進(jìn)行電解拋光的及效果。但是伴隨其它缺點(diǎn)也會(huì)產(chǎn)生，如：fitting表面會(huì)有電化學(xué)反應(yīng)，不僅電解拋光效率變低，也會(huì)浪費(fèi)電力，另外也不易確實(shí)掌控表面的電解拋光環(huán)境，且隨著電解拋光時(shí)間增加，加工表面也會(huì)受到影響；另外表面碰觸，易產(chǎn)生刮痕，影響產(chǎn)品外觀及可靠度，且內(nèi)表面與電極平行度的問題，造成內(nèi)EP時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度不勻，甚至表面與電極觸碰在一起而造成短路產(chǎn)生火花，使fitting的電解拋光過程中無法穩(wěn)定；再者，電解拋光的制程window狹窄，參數(shù)控制要很精準(zhǔn)才確保每次電解拋光處理，在表面不會(huì)產(chǎn)生pitting現(xiàn)象。  本技術(shù)所發(fā)展之電解拋光方式可以解決管件接頭圓端面及其同心圓周遭附近產(chǎn)生蝕孔（pitting）及電解拋光不均的現(xiàn)象，也不會(huì)在工件外表面也會(huì)產(chǎn)生黑滯紋帶與黑斑，并可讓電解拋光制程窗口寬廣，不易產(chǎn)生pitting的現(xiàn)象，可有效降低工件表面粗糙度及符合SEMI對(duì)電解拋光處理結(jié)果的標(biāo)準(zhǔn)。